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浙东物理前沿讲坛第410讲:Controllable preparation and quantum applications of color centers in silicon carbide
发布时间: 2026-05-25 10:26
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报告人:李强 研究员 浙江大学杭州国际科创中心

邀请人:张成杰 教授

报告时间:2026525日(周 1600

报告地点:龙赛理科楼北楼314会议室

报告人简介:李强,求是科创学者(“科创百人计划”研究员),任职于浙江大学杭州国际科创中心。2020年于中国科学技术大学物理学院获得物理学博士学位。随后在中国科学技术大学、中科院量子信息重点实验室展开博士后研究。2023年初加入浙江大学杭州国际科创中心。近年来的研究方向主要包括碳化硅色心的可控制备、自旋相干操控与量子信息应用,基于碳化硅色心的量子精密测量、量子信息处理、量子存储与量子中继等。近几年发表包括Nature MaterialsNature CommunicationsNational Science ReviewPhysical Review LettersNano LettersOpticaSCI收录论文40余篇,其中第一/通讯作者SCI论文9篇,被引600余次,h因子15。申请国家发明专利8项(已授权4项)。主持博士后创新人才支持计划项目、博士后基金面上项目、中科大青年创新基金、信息功能材料国家重点实验室开放课题、横向项目等项目,参与国家自然科学基金联合项目、面上项目等科研项目。受邀担任Frontiers in Physics客座编委,长期受邀担任npj quantum informationPhys. Rev. 系列等SCI期刊审稿人。

报告摘要:In the past decade, color centers in Silicon Carbide (SiC) have emerged as promising platforms for various quantum information technologies. There are several types of defect color centers in SiC having spin, such as silicon vacancy, divacancy and nitrogen-vacancy centers. Their spin states can be polarized and read out by laser and controlled by microwave. These spin defects are promising for applications of quantum sensing, quantum photonics, quantum information processing and quantum networks. In this presentation, I will demonstrate how to generate diverse color centers in SiC by ion implantation or laser writing. Then, I will also exhibit various quantum applications utilizing these spin defects in SiC.

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